삼성전자-ASML, 1조 공동투자해 화성에 차세대 R&D센터 건립
(서울=뉴스1) 강태우 기자 = 이우경 ASML코리아 대표는 31일 "(신규 반도체 연구센터는) 빠르면 올해 12월, 늦어도 내년에 착공할 계획"이라며 "하이 NA EUV(극자외선 노광장비)도 건설 완료 후인 2027년쯤 들어올 것 같다"고 말했다.
이 대표는 전날 오후 서울 강남구 코엑스에서 열린 '세미콘코리아 2024 인더스트리 리더십 디너'에서 기자들과 만나 이같이 밝혔다.
신규 반도체 연구센터는 지난해 윤석열 대통령의 네덜란드 국빈방문을 계기로 맺어진 '반도체 동맹' 차원에서 삼성전자와 네덜란드 장비업체 ASML이 공동으로 1조원을 투자해 국내에 조성하게 된다. ASML 엔지니어와 삼성전자 엔지니어가 함께 EUV 장비를 활용해 첨단 반도체 연구개발(R&D)을 하는 장소로 사용된다.
경기 화성시 ASML 뉴캠퍼스 앞에 지어지는 이 신규센터에는 2㎚(나노미터·10억분의 1m) 미만의 미세 공정을 구현할 수 있는 첨단 장비인 '하이 뉴메리컬어퍼처(High-NA) EUV 노광장비'가 반입될 계획이다.
하이 NA EUV는 지난해 말 인텔이 가장 먼저 공급받기 시작했다. 삼성전자는 1나노대부터 이 장비를 사용할 것으로 알려졌다.
삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 구조를 적용한 3나노 제품 양산을 시작한 데 이어 오는 2025년 2나노 공정, 2027년에는 1.4나노 공정으로 칩을 생산할 예정이다.
이 대표는 "신규 센터는 하이 NA 장비때문에 만들어지는 건데 건물만 4500억원, 장비만 1조원 정도 될 것"이라며 "최대한 장비를 빨리 들여오는 게 목표다. 최근엔 부지도 추가로 사들였다"고 밝혔다.
신규 연구센터의 건립 및 최첨단 EUV 장비 반입까지 계획대로 진행됨에 따라 삼성전자와 ASML과의 협력은 한층 공고해질 전망이다. 특히 EUV 기술 우위를 확보할 기반도 마련됐다는 평가다.
경계현 삼성전자 DS(반도체)부문 사장은 지난해 12월 네덜란드 출장 후 취재진을 만나 ASML과의 '반도체 동맹'에 대해 "전체적인 반도체 공급망 입장에서 굉장히 든든한 우군을 확보했다"고 밝혔다.
그러면서 그는 "하이 NA EUV에 대한 기술적 우선권을 삼성전자가 갖게 될 것 같고 장기적으로 D램 등에서 하이 NA EUV를 잘 쓸 수 있는 계기를 만들지 않았나 생각한다"며 국내에 조성될 연구센터에 대한 기대를 나타냈다.
ASML은 전 세계에서 유일하게 EUV 노광장비를 생산하는 기업이다. 1대당 약 2000억원에 달하는 것으로 알려져 있다. 최첨단 제품인 하이 NA EUV는 약 4000억~5000억원 수준으로 생산량은 연간 10대에 불과한 것으로 알려졌다. 삼성전자(005930), SK하이닉스(000660)는 물론 인텔, 대만 TSMC와 같은 굵직한 글로벌 기업을 고객사로 두고 있다.
